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皇冠正网会员开户(www.hg108.vip):G2再掀科技战 台积扫到台风尾

admin2022-10-098

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美国商务部发表对中国最新半导体限制措施,除了现有针对逻辑IC领域的限制外,更延伸至记忆体范畴,限制的广泛程度,除了中资企业外,外资位于中国境内的生产基地亦需要透过「逐案申请许可」方式方能持续取得制造相关设备,对于台积电、三星、SK海力士等均造成影响。

美对中国半导体产业围堵力道扩大,重创费半指数逾6%,台积电ADR一度大跌6%以上,台积电将于13日召开法说会,若释出超过预期的利空,将成台股不可承受之重。

集邦认为,无论中系或美系IC公司,目前高效能运算相关晶片,多半委由台积电进行制造,制程主流为7奈米及5奈米,部分为12奈米。未来不论是美系厂无法再出口至中国市场,或中系厂无法进行开案及量产投片,都为台积电的7奈米及5奈米制程未来的订单状况,带来负面影响。

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根据集邦调查,此次更新的限制范畴主要在逻辑IC,包括鳍式场效电晶体或环绕闸极电晶体架构的16/14奈米或更先进制程、DRAM的18奈米或更先进制程、NAND Flash的128层或更高层数产品等三个部分。

集邦指出,尽管中系晶圆厂积极与中国本土、欧系及日系设备商合作,企图发展非美系产线,并已转以发展28奈米及以上的制程为主,但该禁令形同完全扼杀中国发展14/16奈米及以下先进制程扩产及发展的可能性,且28奈米及以上的制程扩产亦得经过美国主管机关旷日废时的审查流程。

集邦指出,美对中国记忆体发展采取较严格的限制措施,且该法案亦影响三星西安厂、SK海力士旗下Solidigm大连厂的NAND Flash制程转进规划。

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